А.с. 1519488 СССР, МКИ H 01 S 3/18
Полупроводниковый излучатель
Н.В.Брагин, С.В.Москвин, В.А.Боховкин, А.С.Логгинов, Ю.Ф.Юльбердин
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции полупроводниковых источников излучения. Цель изобретения - стабилизация выходной мощности излучения. Предложен полупроводниковый излучатель на основе многослойной гетероструктуры, который содержит надложку первого типа проводимости с омическим контактом и активную область, заключенную между широкозойными слоями. Ширина запрещенной зоны активной области больше ширины запрещенной зоны подложки. К широкозонному слою второго типа проводимости, прилежащему к подложке, выполнен омический контакт. Между широкозонным слоем, прилежащим к подложке, и активной областью введен дополнительный слой второго типа проводимости с шириной запрещенной зоны, меньшей чем ширина запрещенной зоны активного слоя и большей, чем ширина запрещенной зоны подложки. Толщина дополнительного слоя более, чем на порядок, превышает толщину активного слоя и меньше, чен диффузионная длина носителей заряда. Дополнительно введен промежуточный слой между дополнительным и активным слоями толщиной 0,01 ... 0,1 мкм с шириной запрещенной зоны и типом проводимости, аналогичными широкозонному слою, примыкающеиу к подложке. 2 ил.
